GAGG: Ce Scintillator, GAGG Crystal, GAGG Scintillation Crystal
Etu
● Hyvä pysäytysvoima
● Suuri kirkkaus
● Matala jälkihohto
● Nopea vaimennusaika
Sovellus
● Gammakamera
● PET, PEM, SPECT, CT
● Röntgen- ja gammasäteen tunnistus
● Korkeaenergiasäiliön tarkastus
Ominaisuudet
| Tyyppi | GAGG-HL | GAGG-saldo | GAGG-FD |
| Crystal System | Kuutio | Kuutio | Kuutio |
| Tiheys (g/cm).3） | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| Valon tuotto (fotonia/kev) | 60 | 50 | 30 |
| Vaimenemisaika (ns) | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| Keskiaallonpituus (nm) | 530 | 530 | 530 |
| Sulamispiste (℃) | 2105℃ | 2105℃ | 2105℃ |
| Atomikerroin | 54 | 54 | 54 |
| Energian resoluutio | ＜5% | ＜ 6% | ＜7% |
| Itsesäteily | No | No | No |
| Hygroskooppinen | No | No | No |
Tuotteen Kuvaus
GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) gadoliinialumiinigalliumgranaatti, joka on seostettu ceriumilla.Se on uusi tuike yhden fotonin emissiotietokonetomografiaan (SPECT), gammasäteilyyn ja Compton-elektronien havaitsemiseen.Ceriumilla seostetulla GAGG:Ce:llä on monia ominaisuuksia, jotka tekevät siitä sopivan gammaspektroskopiaan ja lääketieteellisiin kuvantamissovelluksiin.Korkea fotonien saanto ja emissiohuippu noin 530 nm tekee materiaalista hyvin sopivan Silicon Photo -multiplier -ilmaisimien luettavaksi.Epic Crystal kehitti 3 erilaista GAGG:Ce-kidettä, nopeammalla vaimenemisajalla (GAGG-FD), tyypillisellä (GAGG-Balance) kristallilla, korkeammalla valoteholla (GAGG-HL) eri alan asiakkaille.GAGG:Ce on erittäin lupaava tuike korkean energian teollisuudessa, kun se luonnehdittiin kestotestissä alle 115kv, 3mA ja säteilylähde sijaitsee 150 mm etäisyydellä kiteestä, 20 tunnin jälkeen suorituskyky on lähes sama kuin tuoreella. yksi.Se tarkoittaa, että sillä on hyvät mahdollisuudet kestää suuria annoksia röntgensäteilyssä, tietysti se riippuu säteilytysolosuhteista ja jos mennään pidemmälle GAGG: n kanssa NDT: lle, on suoritettava tarkempi lisätesti.Yhden GAGG:Ce-kiteen lisäksi pystymme valmistamaan sen lineaariseksi ja 2-ulotteiseksi matriiseksi, pikselikoko ja erotin voidaan saavuttaa vaatimusten mukaan.Olemme myös kehittäneet teknologian keraamiseen GAGG:Ce:hen, sillä on parempi sattumanratkaisuaika (CRT), nopeampi vaimennusaika ja suurempi valoteho.
Energiatarkkuus: GAGG Dia2”x2”, 8,2 % Cs137@662Kev
Afterglow-esitys
Valon teho
Ajoitusresoluutio: Gagg Fast Decay Time
(a) Ajoitusresoluutio: CRT = 193 ps (FWHM, energiaikkuna: [440keV 550keV])
(a) Ajoitusresoluutio vs.bias-jännite: (energiaikkuna: [440keV 550keV])
Huomaa, että GAGG:n huippuemissio on 520 nm, kun taas SiPM-anturit on suunniteltu kiteille, joiden huippuemissio on 420 nm.520 nm:n PDE on 30 % pienempi kuin 420 nm:n PDE.GAGG:n CRT voitaisiin parantaa 193 ps:stä (FWHM) 161,5 ps:iin (FWHM), jos 520 nm:n SiPM-anturien PDE vastaisi 420 nm:n PDE:tä.
